大功率半导体器件

• 密集型封装结构
• 系统(母线控制)，安装简便
• 三相金桥逆变
• 铜底板和无铜底饭系列

SPT结构 LGBT:

• 通态电压和关断损耗降低20%
• 热阻无增加
• 增加有效电流
• 皱纹状表面，利于散热
• EMC良好的软开关波形
  

IGCT 集成门极换向晶闸管
特性:

• 获准专利的硅滑动式结构
• 获准专利的低电感封装技术
• 可选择的免吸收工作为式
• 极低的导通损耗
• 光触发输入及状态反馈
• 可串联应用(串联级数适当)
• 具有抗辐射能力
• 快速响应和准确定时

类型:
非对称型
反向阻断型
为电流源逆变器优化设计

反向导通
续流二极管集成一体，用于无吸收开关应用



GTO Thyristors门极可关断晶闸管
特性:

• 获准专利的硅滑动式结构
• 所有GTO均经过额定电流的关断测试
• 通态和开关损耗间最佳折衷
• 具有抗辐射能力

类型:
标准型
缓冲层

• 极低的导通损耗和动态损耗
• 非常好的快速开通特性
• 特殊发射极结构;最小的通态损耗

反向导通型

• 一体化的续流二极管
• 最小的动态损耗

快恢复二极管
特性:

• 最佳的快速软恢复特性
• 反向恢复电荷少
• 关断时可承受高的di/dt耐量
• 最适合与GTO和lGCT配套使用
• 具有抗辐射能力

类型:
GTO续流二极管
吸收二极管
IGCT二极管